| KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射多層沉積 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜 |
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價(jià)格：1 元(人民幣) | 產(chǎn)地：美國 |
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伯東企業(yè)(上海)有限公司
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國內(nèi)某大學(xué)采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對(duì)于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實(shí)驗(yàn)測(cè)量了樣品的超導(dǎo)參數(shù)和晶格參數(shù).
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):
Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜樣品的實(shí)驗(yàn)研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進(jìn)行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對(duì)樣品進(jìn)行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因?yàn)殄a的熔點(diǎn)低. 退火采用電爐絲.
濺射沉積的過程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對(duì)鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), 后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的代理商.
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