| KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 制備富硅SiNx薄膜 |
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價(jià)格：1 元(人民幣) | 產(chǎn)地：美國(guó) |
| 最少起訂量：1臺(tái) | 發(fā)貨地：本地至全國(guó) | |
| 上架時(shí)間：2021-03-15 15:43:14 | 瀏覽量：279 | |
伯東企業(yè)(上海)有限公司
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云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點(diǎn) SiN 薄膜的光譜特性. 該實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖?/span>優(yōu)化含硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量
實(shí)驗(yàn)室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對(duì)退火后的薄膜樣品進(jìn)行了表征.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的代理商.
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