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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 成功用于多靶磁控濺射鍍膜機

	價格：11 元(人民幣)	產(chǎn)地：美國
	最少起訂量：1臺	發(fā)貨地：本地至全國
	上架時間：2021-02-24 15:39:59	瀏覽量：163
	伯東企業(yè)(上海)有限公司
	經(jīng)營模式：代理商	公司類型：外商獨資
	所屬行業(yè)：真空泵	主要客戶：
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:羅 (先生)	手機:15201951076
電話:	傳真:
郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn	地址:上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室 201206

詳細介紹

某 OEM 廠商為了提高鍍膜機鍍膜的品質(zhì), 其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000, 真空腔體搭配的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 2300.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數(shù):

射頻離子源型號	RFICP380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術參數(shù):

離子源型號	eH3000	eH3000LO	eH3000MO
Cathode/Neutralizer	HC
電壓	50-250V	50-300V	50-250V
電流	20A	10A	15A
散射角度	>45
可充氣體	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量	5-100sccm
高度	6.0“
直徑	9.7“
水冷	可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

渦輪分子泵 HiPace 2300 技術參數(shù)：

型號	接口 DN		抽速 l/s			壓縮比	zui高啟動壓強hPa	極限壓力	全轉速氣體流量hPa l/s	啟動時間	重量
型號	進氣口	排氣口	氮氣N2	氦氣He	氫氣 H2	氮氣N2	氮氣N2	hPa	氮氣N2	min	kg
HiPace 2300	250	40	1,900	2,000	1,850	> 1X10⁸	1.8	< 1X10^–7	20	4	34 – 47

鍍膜機實際運用案例：

采用多靶磁控濺射鍍膜機在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯塊表面上濺射沉積 ZrB_2 涂層，與其他未引用 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控濺射鍍膜機相比, 引進 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其鍍制的 ZrB_2 涂層附著力明顯提高, 涂層厚度更加均勻, 晶粒更加細小, 沉積率更高.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
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