| hakuto 離子刻蝕機 10IBE 用于多晶黑硅損傷去除與鈍化性能研究 |
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價格：2000000 元(人民幣) | 產(chǎn)地：日本 |
| 最少起訂量：1臺 | 發(fā)貨地：本地至全國 | |
| 上架時間：2020-12-11 16:06:14 | 瀏覽量：141 | |
伯東企業(yè)(上海)有限公司
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| 經(jīng)營模式：代理商 | 公司類型：外商獨資 | |
| 所屬行業(yè)：真空泵 | 主要客戶： | |
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| 聯(lián)系人:羅 (先生) | 手機:15201951076 |
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南京某材料科學(xué)學(xué)院結(jié)合 SiO2 納米球掩膜與立柱刻蝕技術(shù)制備了結(jié)構(gòu)呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 離子刻蝕機 10IBE 去除由荷能離子撞擊所帶來的損失層, 優(yōu)化了多晶黑硅結(jié)構(gòu).
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術(shù)參數(shù):
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術(shù)參數(shù)：
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 可以去除損傷層, 保持原有黑硅結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上使表面結(jié)構(gòu)更加光滑.
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