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某研究所在 PZT 鐵電薄膜的電學(xué)性能研究中運用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE.

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術(shù)參數(shù):

 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術(shù)參數(shù)：

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

研究表面采用伯東 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 刻蝕工藝后, PZT薄膜的鐵電性能幾乎能恢復(fù)到蝕刻前, 如矯頑場值、漏電流、疲勞性能等, 鐵電性能會得到更好的改善.有利于提高貼點存儲密度, 降低生產(chǎn)成本.

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