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硬盤磁頭, 是硬盤讀取數(shù)據(jù)的關鍵部件, 磁頭的好壞在很大程度上決定著硬盤盤片的存儲密度.

GMR 磁頭的使用了磁阻效應更好的材料和多層薄膜結構, 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR（Magneto Resisive）磁阻磁頭更為敏感, 相對的磁場變化能引起來大的電阻值變化, 從而實現(xiàn)更高的存儲密度.

某硬盤磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應用于硬盤磁頭鍍制GMR磁頭導電材料和磁性材料薄膜構.

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數(shù)

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn)晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.

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