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在Mini/Micro LED封裝領(lǐng)域（像素間距≤0.5mm），全自動(dòng)隧道爐通過氮?dú)獗Ｗo(hù)固化（氧含量≤50ppm）實(shí)現(xiàn)低空洞率（＜1%），解決倒裝芯片（Flip Chip）鍵合膠的氧化失效問題。三溫區(qū)梯度加熱（預(yù)熱80℃±2℃/固化150℃±1℃/緩冷60℃±0.5℃）適配量子點(diǎn)彩膜（QDEF）的敏感材料特性，避免280℃高溫導(dǎo)致的色坐標(biāo)偏移（Δxy≤0.003）。針對COB集成封裝（50mil芯片密排），配備紅外熱補(bǔ)償系統(tǒng)可穿透硅膠層，使底部填充膠（Underfill）固化深度達(dá)300μm，剪切強(qiáng)度提升至18MPa。車載LED模組（工作溫度-40℃~105℃）采用雙軌道異步傳輸，實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱鋁基板（6W/m·K）與柔性PCB的同步固化，產(chǎn)線節(jié)拍縮短至45秒/片。最新UV+熱風(fēng)混合固化技術(shù)（365nm+395nm雙波段）使透明封裝膠（折射率1.53）在3分鐘內(nèi)完成深層固化，滿足影院級LED屏（NTSC 110%）的光學(xué)一致性要求。松下量產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示，該設(shè)備使巨量轉(zhuǎn)移（10000PPI）的封裝良率從92%提升至99.6%，助力8K超微間距顯示屏（P0.4）量產(chǎn)成本下降30%。