| CF4等離子刻蝕 |
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淄博江源儀表廠
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在現(xiàn)代微電子制造領(lǐng)域,等離子刻蝕技術(shù)是實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)加工的關(guān)鍵工藝之一,而 CF4等離子刻蝕更是其中的佼佼者。CF4,即四氟化碳,是一種無(wú)色、無(wú)味且化學(xué)性質(zhì)相對(duì)穩(wěn)定的氣體。當(dāng)它被引入到等離子刻蝕設(shè)備中,在特定的電場(chǎng)或磁場(chǎng)作用下,會(huì)被激發(fā)成等離子態(tài)。此時(shí),CF4分子會(huì)解離出具有高活性的氟原子和碳氟自由基。 這些活性粒子具有極強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)能力,它們會(huì)與待刻蝕的材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)材料的去除。以硅片加工為例,氟原子會(huì)與硅原子反應(yīng)生成氣態(tài)的四氟化硅,隨后被真空系統(tǒng)抽出,從而在硅片表面形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)。CF4等離子刻蝕的優(yōu)點(diǎn)在于其刻蝕速率相對(duì)較快,且能夠?qū)崿F(xiàn)較高的各向異性刻蝕,即在垂直方向上的刻蝕速率遠(yuǎn)大于水平方向,這對(duì)于制造高深寬比的微觀結(jié)構(gòu)至關(guān)重要,例如在制造晶體管的柵極結(jié)構(gòu)時(shí),能夠精確地控制其尺寸和形狀。 此外,CF4等離子刻蝕還具有良好的選擇性,可以在不同的材料之間實(shí)現(xiàn)差異化的刻蝕速率,從而保護(hù)不需要刻蝕的部分。例如,在硅片表面覆蓋一層光刻膠時(shí),CF4等離子體對(duì)光刻膠的刻蝕速率遠(yuǎn)低于對(duì)硅的刻蝕速率,這樣就可以利用光刻膠作為掩膜,精確地刻蝕出所需的硅圖案。 CF4等離子刻蝕http://www.plasmasurftreat.com/Products-39318661.html https://www.chem17.com/st658154/product_39318661.html |
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