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Pfeiffer(普發(fā))真空泵在半導體與集成電路(IC)制造中的詳細應用
Pfeiffer(普發(fā))真空泵在半導體與集成電路(IC)制造中的詳細應用 價格:19999  元(人民幣) 產地:廣東東莞市
最少起訂量:1 發(fā)貨地:廣東東莞市
上架時間:2025-04-25 14:18:21 瀏覽量:36
東莞市飛粵真空科技有限公司  
經營模式:經銷商 公司類型:私營有限責任公司
所屬行業(yè):真空泵 主要客戶:全國
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聯(lián)系人:朱先生 (先生) 手機:15079723172
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詳細介紹

Pfeiffer(普發(fā))真空泵在半導體與集成電路(IC)制造中的詳細應用  

Pfeiffer 作為全球高端真空技術的領導者,其產品在半導體制造中扮演著關鍵角色,覆蓋從晶圓制備到芯片封裝的多個核心環(huán)節(jié)。


1. 半導體制造核心工藝與Pfeiffer真空泵的應用
(1)晶圓加工前道工藝**  
- 光刻(Lithography) 
  - 需求:極潔凈的真空環(huán)境(≤10?? mbar)以消除微粒和氣體干擾。  
  - Pfeiffer方案:  
    - 渦輪分子泵(HiPace系列):為光刻機鏡頭和掩模版?zhèn)}提供超高真空(UHV),確保曝光精度。  
    - 干式前級泵(A3系列):避免油污染,配合EUV光刻機的極紫外光源系統(tǒng)。  

- 薄膜沉積(CVD/PVD) 
  - 需求:均勻鍍膜(如SiO?、SiN?)、低顆粒殘留。  
  - Pfeiffer方案:  
    - 羅茨泵(OktaLine系列):快速抽真空至10?? mbar,提升沉積速率。  
    - 低溫泵(CoolVac):用于ALD(原子層沉積),實現(xiàn)原子級薄膜控制。  

- 刻蝕(Etching)  
  - 需求:精確控制等離子體環(huán)境(如反應離子刻蝕RIE)。  
  - Pfeiffer方案:  
    - 復合泵組(分子泵+螺桿泵):維持刻蝕腔體的穩(wěn)定低壓(10??~10?? mbar),確?涛g均勻性。  

(2)離子注入與摻雜  
- 需求:高真空(10?? mbar)下精準控制離子束。  
- Pfeiffer方案:  
  - 離子泵(Ion Pump):為離子注入機提供無振動真空,避免劑量偏差。  

(3)芯片封裝與測試
- 需求**:防止氧化、降低熱阻(如TSV硅通孔工藝)。  
- Pfeiffer方案:  
 - 干式螺桿泵用于真空貼片機,確保芯片與基板無氣泡粘合。  



2. Pfeiffer產品的技術優(yōu)勢與半導體行業(yè)適配性

技術挑戰(zhàn)
Pfeiffer解決方案
行業(yè)價
潔凈度要求
全干式無油設計(避免碳氫污染)
提升良率,滿足28nm以下制程需求
超高真空穩(wěn)定性
渦輪分子泵+低溫泵組合(極限真空≤10?? mbar)
支持EUV光刻等尖端工藝   
耐腐蝕性
特殊涂層泵體(如Al?O?)抗等離子體侵蝕  
延長刻蝕設備壽命     
能效比
變頻驅動(EnergySmart技術)降低功耗30% 
符合半導體廠綠色制造要求  


3. 典型應用案例
- EUV光刻機(ASML):  
  Pfeiffer的HiPace 3000渦輪分子泵用于維持光刻機光學系統(tǒng)的UHV環(huán)境,確保13.5nm極紫外光的傳輸效率。  
- 3D NAND存儲芯片生產:  
  A3系列干泵在多層堆疊工藝中快速抽除刻蝕副產物氣體,防止結構坍塌。  
- 碳化硅(SiC)功率器件:  
  CoolVac低溫泵**在高溫外延(Epitaxy)中控制背景雜質濃度。  



4. 與競品的差異化對比  
- vs. 愛德華(Edwards):  
  Pfeiffer在超高真空響應速度和耐等離子體腐蝕方面更優(yōu),適合高頻工藝(如刻蝕)。  
- vs. 國內品牌(如北儀優(yōu)成):  
  Pfeiffer專注于**7nm以下先進制程**,而國產泵更多用于成熟制程(如>28nm)。  


Pfeiffer真空泵在半導體制造中是不可或缺的“工藝守護者”,其超高真空技術、潔凈性和可靠性直接關聯(lián)到芯片的性能、良率和制程突破。隨著半導體技術向3nm/2nm演進,Pfeiffer的分子泵和低溫泵將成為EUV和GAA晶體管工藝的核心支撐。  

如需具體型號參數(shù)或某工藝環(huán)節(jié)的深入分析,可進一步探討!


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