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試驗

試驗條件

HV-H3TRB

VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h

高溫高濕反偏測試HTRB

VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h

動態(tài)高溫高濕反偏測試H3TRB

VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h

動態(tài)反向偏壓（DRB）

VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h

動態(tài)柵偏（DGS）

VGS = +22 to -8

f = 20 kHz, 10% duty cycle,

VDS = 0, Tj=175

動態(tài)HTGB

Ta=25℃；VDS=0V;dVGS/dt=1V/ns;

f=100kHz;VGS=-4V/21V; 10^11cycles；

動態(tài)高溫正向偏壓測試HTFB

SiC體二極管雙極退化

試驗咨詢：鐘工 150-1416-6472