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分立半導(dǎo)體模塊Microchip芯微MSCSM120AM31CT1AG

	價(jià)格：1550 元(人民幣)	產(chǎn)地：美國(guó)
	最少起訂量：1個(gè)	發(fā)貨地：江蘇
	上架時(shí)間：2024-03-06 09:07:31	瀏覽量：200
	蘇州新電元半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)加工	公司類型：國(guó)有企業(yè)
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：全國(guó)
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:林小玉 (小姐)	手機(jī):15312165678
電話:	傳真:
郵箱:ixys@ixys.com.cn	地址:昆山市昆嘉路2161號(hào)

詳細(xì)介紹

規(guī)格型號(hào)：MSCSM120AM31CT1AG

產(chǎn)品屬性	屬性值	選擇屬性
制造商:	Microchip
產(chǎn)品種類:	分立半導(dǎo)體模塊
RoHS:	詳細(xì)信息
產(chǎn)品:	Power MOSFET Modules
類型:	Phase Leg
技術(shù):	SiC
Vf - 正向電壓:	1.5 V at 30 A
Vr - 反向電壓 :	1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
安裝風(fēng)格:	Screw Mount
封裝 / 箱體:	SP1F
最小工作溫度:	- 40 C
最大工作溫度:	+ 125 C
封裝:	Bulk
商標(biāo):	Microchip Technology
下降時(shí)間:	25 ns
Id-連續(xù)漏極電流:	89 A
Pd-功率耗散:	395 W
產(chǎn)品類型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:	31 mOhms
上升時(shí)間:	30 ns
工廠包裝數(shù)量:	1
子類別:	Discrete Semiconductor Modules
晶體管極性:	N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:	50 ns
典型接通延遲時(shí)間:	30 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:	1.2 kV
Vgs th-柵源極閾值電壓:	1.8 V

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