| FR-A840-00620-2-60AWH 伺服 終生服務(wù) |
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漳州耀越貿(mào)易有限公司
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FR-A840-00620-2-60AWH 伺服 終生服務(wù) 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)通電阻僅為0.71 m?，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即開(kāi)關(guān)應(yīng)用中MOSFET關(guān)鍵的優(yōu)值系數(shù)（FOM）為42 m?*nC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。 日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導(dǎo)通電阻降低18%，提高了功率密度，同時(shí)源極倒裝技術(shù)將熱阻從63?C/W降至56?C/W。此外，SiSD5300DN優(yōu)值系數(shù)比上代器件低35%，從而降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。 PowerPAK1212-F源極倒裝技術(shù)顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置，擴(kuò)大接地焊盤面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時(shí)，PowerPAK 1212-F減小了開(kāi)關(guān)區(qū)范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍，從0.36mm2提高到4.13 mm2，從而改進(jìn)熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結(jié)構(gòu)還簡(jiǎn)化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。 FR-A840-00620-2-60AWH 伺服 終生服務(wù)
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