| RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠 |
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價格:999 元(人民幣) | 產(chǎn)地:本地 |
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漳州耀越貿(mào)易有限公司
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RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠
RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度,增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導(dǎo)通電阻僅為0.71 m?,導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET關(guān)鍵的優(yōu)值系數(shù)(FOM)為42 m?*nC,達到業(yè)內(nèi)先進水平。 日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同,導(dǎo)通電阻降低18%,提高了功率密度,同時源極倒裝技術(shù)將熱阻從63?C/W降至56?C/W。此外,SiSD5300DN優(yōu)值系數(shù)比上代器件低35%,從而降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗,節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。 PowerPAK1212-F源極倒裝技術(shù)顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置,擴大接地焊盤面積,提供更有效的散熱路徑,有助于降低工作溫度。同時,PowerPAK 1212-F減小了開關(guān)區(qū)范圍,有助于降低跡線噪聲的影響。另外,PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍,從0.36mm2提高到4.13 mm2,從而改進熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結(jié)構(gòu)還簡化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。 RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠
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