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Langer無源近場探頭組-XF1
Langer無源近場探頭組-XF1 價格:8  元(人民幣) 產(chǎn)地:德國
最少起訂量:1 發(fā)貨地:浙江杭州市
上架時間:2024-01-19 09:42:31 瀏覽量:127
上海歐橋電子科技發(fā)展有限公司  
經(jīng)營模式:貿(mào)易公司 公司類型:私營有限責任公司
所屬行業(yè):電子產(chǎn)品制造設備 主要客戶:
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詳細介紹

Langer無源近場探頭組
品牌:Langer EMV-Technik   
型號:XF1
無源XF1近場探頭組(30MHz-6GHz)

無源XF(30MHz-6GHz)
XF系列探頭包含4個無源磁場探頭和3個無源電場探頭,用于在電子模塊研發(fā)階段進行電場和磁場的測量,覆蓋頻率范圍為30MHz到6GHz。這種探頭內(nèi)置阻抗匹配器,因而與其他探頭(如RF型探頭)相比在低頻區(qū)域較不敏感。由于其頻率范圍寬并包含從很大到很小尺寸的各種探頭,因而有著廣泛的應用。探頭的組合完全按照顧客的需求。
XF系列的探頭可以用于逐步查找模塊的干擾場源。我們建議,首先使用大型高靈敏探頭從遠距離查找模塊的干擾放射源,然后再用更高分辨率的探頭進一步精確定位干擾源。通過相應地操作近場探頭,能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便,并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設計。
這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻。


Langer無源近場探頭組XF1(30MHz-6GHz)簡介:
包含4個無源磁場探頭和1無源電場探頭,所有探頭的頻率范圍為30MHz到6GHz,用于在研發(fā)階段測量磁場和電場。由于在探頭內(nèi)部配置了阻抗匹配器,該探頭組與其他探頭(如RF型探頭)相比,在低頻區(qū)較不敏感。
使用XF 1系列的探頭,可以逐步辨識電子模塊中的干擾磁場源。例如,首先用XF-R 400-1型探頭檢測電子模塊總體發(fā)射出的干擾場,然后再用高分辨率探頭更準確地識別干擾源。電場探頭用于檢測電子模塊表面的干擾電場。
通過相應地操作近場探頭,能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便,并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設計。這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻。

Langer XF1近場探頭組配置:
1x XF-R 400-1, 磁場探頭(30MHz-6Hz)
1x XF-R 3-1, 磁場探頭(30MHz-6GHz)
1x XF-B 3-1, 磁場探頭(30MHz-6Hz)
1x XF-E 10, 電場探頭(30MHz-6GHz)
1x XF-U 2.5-1, 磁場探頭(30MHz-6GHz)
1x SMA-SMA 1 m, SMA-SMA 測量電纜
1x XF 1 qg, XF1系列 快速指南
1x Case 5(24 x 19.5 x 6) cm

簡短的介紹
XF-R 400-1磁場探頭 因較大的直徑(25mm)而擁有很高的靈敏度,允許在10cm以內(nèi)的距離測量模塊和設備。

XF-R 3-1型近場探頭: 用于高分辨率直接檢測組件上,譬如IC的引腳或外殼、布線、旁路電容器和電磁兼容性(EMC)元件等區(qū)域的射頻磁場。

XF-B 3-1型磁場探頭的測量線圈相對垂直于探頭柄。當探頭豎直放置到電路板上時,其測量線圈直接平放在電路板的表面上。由此就能夠測量到印刷電路板表面上很難達到的一些位置,如開關調(diào)節(jié)器的大元件之間的位置。

XF-E 10型電場探頭底面的電極僅有約0.2mm寬,用于定位最小的電場,例如0.1mm寬的導線、高針數(shù)集成電路的單個引腳等發(fā)射的電場。測試時將該電場探頭放置在受測物體上。

XF-U 2.5-1型磁場探頭是一個近場探頭,用于選擇性測量導線、SMD組件和IC引腳中的高頻電流。這個探頭有一個大約0.5mm寬的磁場敏感缺口,測量時將這個缺口放在布線、IC或者電容器的連接點上。

無源XF(30MHz-6GHz)其他近場探頭介紹:
XF-R 100-1型磁場探頭(30MHz-6GHz)用于測量模塊、設備或電纜,可以在距離被測物3cm以內(nèi)使用。利用該磁場探頭能夠識別較大組件是否為潛在的干擾源。這種磁場探頭呈現(xiàn)很高的帶寬和線性度。

XF-E 04s電場探頭(30MHz-6GHz):這種近場探頭可以檢測受測對象(IC)耦合產(chǎn)生的電場。探頭的側(cè)面采用屏障設計,所以側(cè)面作用的電場不影響測量結(jié)果。這種近場探頭的靈敏度允許在0.5到10mm的距離檢測集成電路及其他電子模塊的電場。

XF-E 09s電場探頭(30MHz-6GHz):這種近場探頭可以檢測受測對象(IC)耦合產(chǎn)生的電場。探頭的側(cè)面采用屏障設計,所以側(cè)面作用的電場不影響測量結(jié)果。這種近場探頭的靈敏度允許在0.5到10mm的距離檢測集成電路及其他電子模塊的電場。





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