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  系列:控制系統(tǒng)

  產(chǎn)品描述

  DS1230Y-150+是達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的集成電路。IC是非易失性SRAM（NVSRAM），這意味著它將SRAM的功能與非易失存儲(chǔ)器的功能相結(jié)合。

  特征

  非易失性存儲(chǔ)器

  備用電池

  256kbit容量

  訪問(wèn)時(shí)間150ns

  低功耗

  工業(yè)溫度范圍

  DS1230Y-150+是由達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司（現(xiàn)為Maxim integrated）制造的非易失性SRAM（NVSRAM）集成電路。它將SRAM的功能與EEPROM的功能相結(jié)合，提供高速讀/寫(xiě)訪問(wèn)和非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

  DS1230 256k非易失性SRAM是262144位的全靜態(tài)非易失SRAM，由32768個(gè)字乘8位組成。每個(gè)NV SRAM都有一個(gè)獨(dú)立的鋰能源和控制電路，該電路不斷監(jiān)測(cè)VCC是否超出容差條件。當(dāng)出現(xiàn)這種情況時(shí)，鋰能源會(huì)自動(dòng)打開(kāi)，并無(wú)條件啟用寫(xiě)保護(hù)，以防止數(shù)據(jù)損壞。DIP封裝DS1230器件可以代替直接符合流行的字節(jié)28引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有32k x 8靜態(tài)RAM。DIP器件還與28256個(gè)EEPROM中的引腳相匹配，在提高性能的同時(shí)允許直接替換。低端模塊封裝中的DS1230設(shè)備是專(zhuān)門(mén)為表面安裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)的�？梢詧�(zhí)行的寫(xiě)入周期數(shù)量沒(méi)有限制，微處理器間無(wú)需額外的支持電路。

  讀取模式

  每當(dāng)WE（寫(xiě)入啟用）處于非活動(dòng)狀態(tài)（高），CE（芯片啟用）和OE（輸出啟用）處于活動(dòng)狀態(tài)（低）時(shí)，DS1230設(shè)備都會(huì)執(zhí)行讀取周期。由15個(gè)地址輸入（A0-A14）的唯一地址定義了32768字節(jié)數(shù)據(jù)中的哪一個(gè)要訪問(wèn)。在最后一個(gè)地址輸入信號(hào)穩(wěn)定后的tACC（訪問(wèn)時(shí)間）內(nèi)，有效數(shù)據(jù)將可用于所有數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器，前提是同時(shí)滿足CE和OE（輸出啟用）訪問(wèn)時(shí)間。如果不滿足OE和CE訪問(wèn)時(shí)間，則必須從隨后出現(xiàn)的信號(hào)（CE或OE）測(cè)量數(shù)據(jù)訪問(wèn)，并且限制參數(shù)為CE的tCO或OE的tOE，而不是地址訪問(wèn)。

  寫(xiě)入模式

  每當(dāng)?shù)刂份斎敕�(wěn)定后WE和CE信號(hào)激活（低）時(shí)，DS1230設(shè)備就會(huì)執(zhí)行寫(xiě)入周期。隨后出現(xiàn)的CE或WE的下降沿將決定寫(xiě)入周期的開(kāi)始。寫(xiě)入周期由CE或WE的較早上升沿終止。所有地址輸入必須在整個(gè)寫(xiě)入周期內(nèi)保持有效。WE必須在最短恢復(fù)時(shí)間（tWR）內(nèi)返回高狀態(tài)，然后才能啟動(dòng)另一個(gè)循環(huán)。OE控制信號(hào)應(yīng)在寫(xiě)入周期內(nèi)保持非激活（高）狀態(tài)，以避免總線爭(zhēng)用。但是，如果輸出驅(qū)動(dòng)器被啟用（CE和OE激活），則WE將從其下降沿禁用tDW中的輸出。

  數(shù)據(jù)保留模式

  DS1230AB為大于4.75伏的VCC提供全功能能力，并提供4.5伏的寫(xiě)保護(hù)。DS1230Y為大于4.5伏的VCC和4.25伏的寫(xiě)保護(hù)提供全功能。數(shù)據(jù)在沒(méi)有VCC的情況下保持，無(wú)需任何額外的支持電路。非易失性靜態(tài)RAM持續(xù)監(jiān)控VCC。如果電源電壓衰減，NV SRAM會(huì)自動(dòng)進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)，所有輸入變?yōu)椤安辉诤酢�，所有輸出變�(yōu)楦咦杩�。�?dāng)VCC降至約3.0伏以下時(shí)，電源開(kāi)關(guān)電路將鋰能源連接到RAM以保留數(shù)據(jù)。在通電期間，當(dāng)VCC上升到大約3.0伏以上時(shí)，電源開(kāi)關(guān)電路將外部VCC連接到RAM，并斷開(kāi)鋰能源。

  當(dāng)DS1230AB的VCC超過(guò)4.75伏，DS1230Y的VCC超出4.5伏時(shí)，RAM可以恢復(fù)正常運(yùn)行。RESHNESS SEAL每個(gè)DS1230設(shè)備，其鋰能源斷開(kāi)，保證了完整的能源容量。當(dāng)VCC第一次以大于4.25伏的電平施加時(shí)，鋰能源被啟用以進(jìn)行電池備份操作。

  應(yīng)用領(lǐng)域

  數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

  工業(yè)控制系統(tǒng)

  汽車(chē)系統(tǒng)