| KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備微晶硅薄膜 |
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價格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：美國 |
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伯東企業(yè)(上海)有限公司
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硅薄膜作為薄膜太陽能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).
采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)容易控制, 因此經(jīng)過伯東工程師推薦, 長沙某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室課題租在研究微晶硅薄膜時, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
試驗(yàn)結(jié)果: 在實(shí)驗(yàn)中, 通過伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結(jié)晶良好的微晶硅薄膜.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
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