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半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用HD諧波減速機(jī)CSG-40-120-2A-GR半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起源于20世紀(jì)中期的美國(guó)，之后向日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。回顧日韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起之路，不難發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起往往伴隨著設(shè)備、材料領(lǐng)等上游領(lǐng)域的協(xié)同發(fā)展。

20世紀(jì)70年代初，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落后美國(guó)10年以上。盡管日本可以生產(chǎn)DRAM芯片，但關(guān)鍵的制程設(shè)備及材料依賴于美國(guó)進(jìn)口。為了彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)短板，1976年到1979年，日本開始實(shí)施具有里程碑意義的“VLSI研究聯(lián)合體”，共投資720億日元用于芯片產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)的突破。4年間，“VLSI研究聯(lián)合體”的專利申請(qǐng)數(shù)達(dá)1210件，商業(yè)秘密的申請(qǐng)數(shù)達(dá)347件，參加企業(yè)技術(shù)水準(zhǔn)得到迅速提高�！癡LSI技術(shù)研究組合”啟動(dòng)前，日本的半導(dǎo)體設(shè)80%左右依賴美國(guó)進(jìn)口；到了20世紀(jì)80年代中期，日本實(shí)現(xiàn)了全部半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化；到80年代末，日本半導(dǎo)體設(shè)備的全球市占率超過50%。

行行查，行業(yè)研究數(shù)據(jù)庫 www.hanghangcha.com

“VLSI研究聯(lián)合體”為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在20世紀(jì)80年代的崛起鋪平了道路，半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用HD諧波減速機(jī)CSG-40-120-2A-GR大型計(jì)算機(jī)的發(fā)展帶來的高可靠性DRAM需求成為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的契機(jī)。1980年至1986年，日本半導(dǎo)體企業(yè)的市占率從26%提升至45%，日本成為大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)。1989年日本企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的市占率達(dá)到53%，巔峰時(shí)期的日本電器、東芝、日立三家企業(yè)在DRAM領(lǐng)域的市場(chǎng)份額超過90%。相田洋著作《電子立國(guó)》中寫道：“日本半導(dǎo)體業(yè)的成功，得益于半導(dǎo)體制造設(shè)備的優(yōu)異”，可見日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成功崛起與半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展密不可分。