| FF1000R17IE4 英飛凌IGBT模塊 1000A/1700V |
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產(chǎn)品作用和特性 英飛凌FF1000R17IE4是帶有溫度檢測(cè)NTC的PrimePACK?3封裝模塊, IGBT4模塊仍采用溝槽柵和場(chǎng)終 止技術(shù)的**組合,即TrenchstoplGBT4芯片和其反并聯(lián)續(xù)流二*管芯片, 按低、中、高三個(gè)功率段的應(yīng)用 特點(diǎn)分別在開(kāi)關(guān)損耗、通態(tài)損耗、開(kāi)關(guān)軟特性方面進(jìn)一步優(yōu)化。英飛凌FF1000R17IE4主要運(yùn)用在三E電平 應(yīng)用、輔助逆變器、大功率變流器、電機(jī)傳動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電機(jī)等I業(yè)電子設(shè)備中。 經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高功率igbt4是英飛凌所提供的一款軟化度很好的溝槽電場(chǎng)截止元件,-個(gè)較小的柵電阻就能控 制標(biāo)稱值高達(dá)3600a的大電流。由于在工作時(shí)使用了有源柵控,使得在800v的直流鏈電壓下,總的關(guān)斷損 耗(在整個(gè)工作范圍內(nèi)的總和)降低了5%,并且通過(guò)改進(jìn)的二*管也減小了開(kāi)啟損耗(~20%)?紤]到工作溫 度有25°C的增加,這意味著在散熱器相同的情況下,逆變器的輸出功率大約比igbt3模塊增加了20%。 英飛凌FF1000R17IE4機(jī)械特性 封裝的CTl>400 高爬電距離和電氣間隙 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力 高功率密度 銅基板 標(biāo)封裝 基本參數(shù): 1000A/1700V/2U封裝: PrimePACK3 |
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