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產(chǎn)品簡介

WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀
德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發(fā)，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV（

詳細介紹

WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀

德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發(fā)，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。

CVP21的系統(tǒng)特點：

• 堅固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，光學、電子和化學部分相對獨立；
• 的測量電路模塊；
• 強力的控制軟件，系統(tǒng)操作，使用簡便;
• 完善的售后服務體系;
• 提供免費樣品測試并提供測試報告。
• 保修期：2年，終身維修。
• 對用戶承諾*樣品測試，每月1次。

技術(shù)參數(shù)： 
CVP21電化學CV剖面濃度分析儀完美結(jié)合了WEP在電化學方分布測試方面超過３０年的經(jīng)驗和世界上的電路系統(tǒng)。全自動，特別適用于新材料，如氮化鎵、碳化硅材料等。
可有效檢測：外延材料、擴散、離子注入。
載流子濃度測量范圍：1011/cm3~1021/cm3 ；
深度分辨率：低至1nm；
模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：
 - 拓撲型結(jié)構(gòu)；
 - 實時監(jiān)控腐蝕過程；
 - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓；
- 全自動化系統(tǒng)；

主要特點： 
CVP21電化學ECV是半導體載流子濃度分布完美的解決方案：
1.  CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數(shù)的半導體材料。
- IV族半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
- III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
- 三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
- 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
- II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
- 其他不常見半導體材料(可以聯(lián)系我們進行樣品測量)。
2.  CVP21可測試不同形態(tài)的樣品：多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導電或絕緣均可)、標準樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預先咨詢我們)。
3.  CVP21擁有很好的分辨率范圍：
* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)
4.  CVP21是一套完整的電化學ECV測量系統(tǒng)：
* 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機械、光學、液體傳動幾個主要部分均經(jīng)特殊設計)
* 免校準的系統(tǒng)(完全自校準的電子系統(tǒng)，電纜電容均無須用戶再次校準)
* 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化，在實驗室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)
* 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制；每次測量后，鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)
* 實驗菜單(測量菜單預定義，優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學樣品池自動裝載/卸載/再裝載，優(yōu)先權(quán)用戶易于修改，進行樣品dry-in/dry-out處理。)