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貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，其主要是滿足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。

1、測試條件對測量結(jié)果的影響

首先考慮測量條件的問題，對于不同容值的貼片電容會采用不同的測試條件來測量容值，主要在測試電壓的設(shè)定和測試頻率的設(shè)定上有區(qū)別，下表所示為不同容值的量測條件:

電容

AC 電壓

頻率

容量>10μF

1.0± 0.2Vrms

120Hz

1000pF<容量≦10μF

1.0± 0.2Vrms

1kHz

容量≦ 1000pF

1.0± 0.2Vrms

1MHz

2、測量儀器的差異對測量結(jié)果的影響.

大容量的電容（通常指1UF以上）測量時更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象，造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電容兩端的實(shí)際電壓不能達(dá)到測試條件所需求的電壓，這是因?yàn)榧釉陔娙輧啥说臏y試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實(shí)際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了使測量結(jié)果誤差降到最低,我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實(shí)際加在電容兩端所測的電壓盡量調(diào)整,使實(shí)際于待測電容上輸?shù)某鲭妷阂恢隆?/span>

注意： 上表中所示的電壓是指實(shí)際加在測試電容兩端的有效電壓（理想電壓）。

由于測試儀器的原因，加在電容兩端實(shí)際的輸出電壓與設(shè)定的測量電壓(理想電壓）實(shí)際上可能會有所出入。

可靠性問題：片狀電容失效分為三個階段： ?

??第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過程中，第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時，有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對一般電性能不會產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。

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??防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。 ?

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??第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機(jī)械和熱應(yīng)力，即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計(jì)各種應(yīng)力實(shí)驗(yàn)條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實(shí)驗(yàn)以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。 ?????

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??片狀電容在該過程中受到熱和機(jī)械應(yīng)力的作用，嚴(yán)重時出現(xiàn)瓷體斷裂現(xiàn)象。若片狀電容受到的熱和機(jī)械應(yīng)力接近臨界時，則不出現(xiàn)明顯的斷裂現(xiàn)象，而是表現(xiàn)為內(nèi)部裂紋的出現(xiàn)或內(nèi)部微裂紋的產(chǎn)生。用烙鐵補(bǔ)焊時，明顯裂紋則表現(xiàn)為斷裂，微裂紋大多數(shù)表現(xiàn)為電性能恢復(fù)正常，漏電現(xiàn)象消失，但時間一長，片狀電容可靠性差的缺陷就體現(xiàn)出來。