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離子刻蝕 IBE原理

簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō), 離子刻蝕 IBE原理將氬氣分解為氬離子, 氬離子經(jīng)過(guò)陽(yáng)極電場(chǎng)的加速對(duì)樣品表面進(jìn)行物理轟擊, 以達(dá)到刻蝕的作用. 刻蝕過(guò)程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體, 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速, 具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室, 射向固體表面轟擊固體表面原子, 使材料原子發(fā)生濺射, 達(dá)到刻蝕目的, 屬純物理刻蝕.

離子源應(yīng)用于離子刻蝕 IBE
上海伯東代理美國(guó)考夫曼 KRI 離子源, 其產(chǎn)品霍爾離子源 EH400 HC 成功應(yīng)用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性, 霍爾源單次使用長(zhǎng)久, 耗材成本極低, 操作簡(jiǎn)易, 安裝簡(jiǎn)易, 因此美國(guó)考夫曼霍爾離子源廣泛應(yīng)用于蝕刻制程及基板前處理制程.

霍爾離子源客戶案例一: 某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備
系統(tǒng)功能: 對(duì)于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項(xiàng)材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國(guó)考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC


霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi)


離子源 EH400HC 自動(dòng)控制單元


霍爾離子源 EH400HC 通氬氣


對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec


對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 ?/Sec

鑒于信息保密. 更詳細(xì)的離子源應(yīng)用歡迎撥打客服熱線：021-5046-3511 /  021-5046-1322

霍爾離子源 EH400HC 特性:
1.高離子濃度, 低離子能量
2.離子束涵蓋面積廣
3.鍍膜均勻性佳
4.提高鍍膜品質(zhì)
5.模塊化設(shè)計(jì), 保養(yǎng)快速方便
6.增加光學(xué)膜后折射率 (Optical index)      
7.全自動(dòng)控制設(shè)計(jì), 操作簡(jiǎn)易
8.低耗材成本, 安裝簡(jiǎn)易

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域.

上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源 (離子槍) 中國(guó)總代理.