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上海交通大學(xué)發(fā)明了CN261148229.5壓比無(wú)級(jí)可調(diào)的小排量壓氣裝置,屬于機(jī)械工程領(lǐng)域內(nèi)的壓縮機(jī)技術(shù)。包括:低壓筒、壓氣機(jī)、高壓?jiǎn)卧、控制器、送氣閥、來(lái)氣閥、進(jìn)氣閥、排氣閥。其中,高壓?jiǎn)卧ǎ核膫(gè)高壓筒、三個(gè)電動(dòng)蝶閥、壓力傳感器、輸入氣閥、輸出氣閥。壓氣機(jī)將低壓筒中的氣體壓縮后送入高壓?jiǎn)卧,控制器在接收到壓力傳感器的壓力信?hào)后控制各電動(dòng)蝶閥動(dòng)作,通過各高壓筒的作用,使氣體達(dá)到壓力并輸出。 單元直徑Φ150×100mm(80) =44米/方 單元直徑Φ180×100mm(80)=30米/方 單元直徑Φ200×100mm(80)=25米/方 單元直徑Φ250×100mm=(80)16米/方
中繩有塑料繩及纖維繩兩種。 Ishizaki等進(jìn)行了帶缺陷超疏水膜層的腐蝕機(jī)理研究,由于裂縫的存在使膜層局部區(qū)域的疏水性降低,腐蝕介質(zhì)通過裂縫滲入,從而發(fā)生腐蝕,伴隨著腐蝕產(chǎn)物的積累,膜層被進(jìn)一步破壞,使表面由超疏水狀態(tài)變?yōu)槌H水狀態(tài),腐蝕擴(kuò)展,終超疏水膜層破壞。如何避免或減輕這些缺陷帶來(lái)的不利影響,是超疏水膜層的研究課題之一。相法制備超疏水膜層的研究進(jìn)展目前用于制備超疏水膜層的CVD方法包括常溫常壓化學(xué)氣相沉積(常溫常壓CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積(::CVD)等。溫常壓化學(xué)氣相沉積常溫常壓CVD不需要復(fù)雜精密設(shè)備,沉積薄膜組成及結(jié)構(gòu)可控,具有成本低、操作簡(jiǎn)單、制備膜層重復(fù)性好、膜層均勻、適用范圍廣以及對(duì)基體材料無(wú)損害等優(yōu)點(diǎn)。Rollings等研究了甲基三氯硅烷(TCMS)合成納米纖維的影響因素,包括反應(yīng)物濃度和配比、反應(yīng)物分布均一性、合成時(shí)間和催化劑用量;相關(guān)學(xué)者還研究了反應(yīng)溫度對(duì)制備膜層疏水性的影響;Karla等采用拉曼原位監(jiān)測(cè)技術(shù)研究了CVD制備碳納米管(CNT)的形成和生長(zhǎng)過程。
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