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AB 800FP-LSB35 PCL 模塊 美國原裝進(jìn)口 我們正處在第二代半導(dǎo)體材料(硅)和第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展的節(jié)點(diǎn)上,隨著信息技術(shù)的突飛猛進(jìn),以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的半導(dǎo)體材料,因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源、電力電子和微波射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)和材料支撐。2018年3月,中國科技部高新司在高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了新突破,據(jù)相關(guān)工作人員對OFweek電子工程網(wǎng)介紹,該項(xiàng)目完成了兩英寸GaN自支撐襯底的規(guī);a(chǎn),實(shí)現(xiàn)了高Al組分AlGaN基深紫外光泵浦激射,開發(fā)了基于鈣鈦礦氧化物材料的紫外光電探測器件原型,為氮化鎵的早日量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)的新突破。
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