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浙江0805貼片電容 廠家
浙江0805貼片電容 廠家 價格:0.03  元(人民幣) 產(chǎn)地:廣東東莞市
最少起訂量:1 發(fā)貨地:廣東東莞市
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東莞市偉圣電子有限公司  
經(jīng)營模式:貿(mào)易公司 公司類型:私營有限責(zé)任公司
所屬行業(yè):電容器 主要客戶:國內(nèi),珠江三角洲、出口歐美及東南亞
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詳細(xì)介紹


貼片電容介紹:

  貼片電容名片式積層電容是一次性高溫?zé)Y(jié)而成的也是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合而成。

 

  貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡介:

  貼片電容主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極、端電極.其中陶瓷介質(zhì)的主要作用是在電場作用下,極化介電儲能。當(dāng)電場變化時極化率相應(yīng)發(fā)生變化時,由于不同介質(zhì)種類的主要極化類型不同,其對電場變化的響應(yīng)速度和極化率也不相同。

 

  電極分為內(nèi)電極與端電極。其中內(nèi)電極位于貼片電容器內(nèi)部,主要提供電極板正對面積,它與介質(zhì)一般是交替疊放。

 

 

  貼片電容是一種小型電容器,它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種,材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種,最常用的是X7R與NPO材質(zhì)。

 

 

  今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區(qū)別首先我們要知道M與Z的意思,其中M代表±20%的容量誤差,Z代表正80%負(fù)20%的容量誤差。

 

  例:0805 10uf電容,如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動,Z檔則為8uf-18uf之間浮動。

 

 

   貼片電容簡介:

 

  全稱:多層(積層、疊層)片式陶瓷電容器,也稱為貼片電容、片容,英文縮寫:MLCC

   主要規(guī)格尺寸,按英制標(biāo)準(zhǔn)分為:02010402060308051206以及大規(guī)格的1210180818122220222530123035等。

  容量范圍:0.5pF100uF其中,一般認(rèn)為容量在1uF以上為大容量電容。


  額定電壓:從4V4KVDC當(dāng)額定電壓在100V及以上時,即歸納為中高壓產(chǎn)品。

  片式電容的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)資料存在對應(yīng)關(guān)系,主要分為三大類別。

 

   貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25,但是我司可制造1.0特殊厚度,如有需要請?zhí)崆邦A(yù)訂。

 

  貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容器,其溫度系數(shù)為±30ppm/℃,電容量非常穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化,主要應(yīng)用于 高頻電子線路,如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5,以及在容量低于10pF時,可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

 

 

 X7R為II類介質(zhì)的中頻電容器,其溫度系數(shù)為±15,電容量相對穩(wěn)定,適用于各種旁路、耦合、濾波電路等,其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下,可提供J檔(±5)精度的產(chǎn)品。

 

 不同品種的電容器,最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

 

  

 

  Y5V為III類介質(zhì)的低頻電容器,其溫度系數(shù)為:+30~-80,電容量受溫度、電壓、時間變化較大,一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80~-20),也可選擇±20精度的產(chǎn)品。

 

  

 

   貼片電容介質(zhì)強度表征的是介質(zhì)材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場強度達到某一臨界值時,材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個程度上延續(xù)足夠長的時間,將會在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強度隨溫度提高而下降.

 

  

 

  任何絕緣體的本征介質(zhì)強度都會因為材料微結(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會導(dǎo)致缺陷隨機出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強度反比于介質(zhì)層厚度.類似地,介質(zhì)強度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進行片式電容器留邊量設(shè)計時需要確保在使用過程中和在進行耐壓測試(一般為其工作電壓的2.5倍)時,不發(fā)生擊穿失效.

 


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