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IGBT模塊進口報關需要辦理批文嗎

我國發(fā)展IGBT面對的具體問題

雖然用量和可控要求我們發(fā)展IGBT，我們也做了很多努力，但當中還是有些問題需要重點考慮的：

IGBT技術與工藝

我國的功率半導體技術包括芯片設計、制造和模塊封裝技術目前都還處于起步階段。功率半導體芯片技術研究一般采取“設計+代工”模式，即由設計公司提出芯片設計方案，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。

由于這些集成電路公司大多沒有獨立的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術，更需要先進的工藝設備，這些都是我國功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。

從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結構設計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型，在改善IGBT的開關性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設計在工藝上實現(xiàn)卻有相當大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內(nèi)的做的都不是很好。

薄片工藝，特定耐壓指標的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現(xiàn)在國內(nèi)可以將晶圓減薄到175um，再低就沒有能力了。比如在100~200um的量級，當硅片磨薄到如此地步后，后續(xù)的加工處理就比較困難了，特別是對于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。

背面工藝，包括了背面離子注入，退火激活，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點的限制，這些背面工藝必須在低溫下進行(不超過450°C)，退火激活這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡單。國外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶簽訂協(xié)議，就不再給中國客戶代提供加工服務。

在模塊封裝技術方面，國內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術，其中中低壓模塊封裝廠家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比，技術上的差距依然存在。國外公司基于傳統(tǒng)封裝技術相繼研發(fā)出多種先進封裝技術，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長期可靠性，并初步實現(xiàn)了商業(yè)應用。

高端工藝開發(fā)人員非常缺乏，現(xiàn)有研發(fā)人員的設計水平有待提高。目前國內(nèi)沒有系統(tǒng)掌握IGBT制造工藝的人才。從國外先進功率器件公司引進是捷徑。但單單引進一個人很難掌握IGBT制造的全流程，而要引進一個團隊難度太大。國外IGBT制造中許多技術是有專利保護。目前如果要從國外購買IGBT設計和制造技術，還牽涉到好多專利方面的東西。

萬享的發(fā)展歷程：

萬享創(chuàng)業(yè)初期，我們既沒有豐富的資源，更沒有優(yōu)厚的政策支持，只能在夾縫中生存。我們的服務只能選擇以目標為導向，經(jīng)營著其他同行一樣的服務項目：�？者\代理、拖車、代理報關報檢等。隨著全球化、信息化、市場化不斷深入，傳統(tǒng)商業(yè)模式受到了前所未有的挑戰(zhàn)，創(chuàng)新商業(yè)模式勢在必行。憑著對行業(yè)的浸透，資源整合能力的提升。我們明白，想成為一個優(yōu)秀的企業(yè)也應該像水一樣，只有在業(yè)務創(chuàng)新、服務質(zhì)量、客戶滿意度上下功夫，才能夠站穩(wěn)腳跟，立足市場；只有真誠守信，一切以客戶為中心，以客戶需求為導向，以客戶滿意為準繩，才能夠最終得到客戶的認可，獲得更大的發(fā)展。