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可靠性問題：片狀電容失效分為三個階段：

第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過程中，第一道工序陶瓷粉料、有機黏合劑和溶劑混合配料時，有機黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時收縮不一致導致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對一般電性能不會產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。

防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫燒結(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。

第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機械和熱應(yīng)力，即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計各種應(yīng)力實驗條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實驗以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。

片狀電容在該過程中受到熱和機械應(yīng)力的作用，嚴重時出現(xiàn)瓷體斷裂現(xiàn)象。若片狀電容受到的熱和機械應(yīng)力接近臨界時，則不出現(xiàn)明顯的斷裂現(xiàn)象，而是表現(xiàn)為內(nèi)部裂紋的出現(xiàn)或內(nèi)部微裂紋的產(chǎn)生。用烙鐵補焊時，明顯裂紋則表現(xiàn)為斷裂，微裂紋大多數(shù)表現(xiàn)為電性能恢復正常，漏電現(xiàn)象消失，但時間一長，片狀電容可靠性差的缺陷就體現(xiàn)出來。

第三階段是片狀電容長時間工作后出現(xiàn)失效現(xiàn)象，這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機到消費者手中出現(xiàn)整機功能障礙，追溯原因，發(fā)現(xiàn)片狀電容漏電流大，失效。一般此類問題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露，該階段出現(xiàn)的質(zhì)量比前兩個階段嚴重得多。由于整機在消費者使用過程中涉及到的條件，整機生產(chǎn)廠家和元器件廠家大多都模擬試驗過，所以片狀電容在整機出廠前，應(yīng)符合電子線路的要求，但整機因片狀電容使用一段時間出現(xiàn)質(zhì)量問題，則要認真研究片狀電容生產(chǎn)或加工過程中的質(zhì)量隱患。應(yīng)更換片狀電容以保證電子整機設(shè)備的正常工作。

片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問題，特別是涉及到可靠性方面的質(zhì)量問題，是一個復雜的過程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多，出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問題，應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問題。

當然，客觀上片狀電容存在一定比率的失效率，針對與片狀電容有關(guān)的質(zhì)量問題，既要承認陶瓷片狀電容存在一定脆性，又要認可通過現(xiàn)代貼片、組裝技術(shù)能夠最限度減少對陶瓷片狀電容的應(yīng)力沖擊。研究、分析片狀電容出現(xiàn)的質(zhì)量問題，找到問題產(chǎn)生的根源，對于現(xiàn)在大量使用于電子整機的片式電容而言，防范、杜絕可靠性問題的出現(xiàn)，具有很現(xiàn)實的意義。

貼片電容不宜手工焊接，但如果條件不具備一定要用手工焊接，必須委任可靠的操作員；先把電容和基板預熱到150℃，用不大于20W和頭不超過3mm的電烙，焊接溫度不超過240℃，焊接時間不超過5S進行，要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體，因為會使瓷體局部高溫而破裂。