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HA-LFS6014B強(qiáng)強(qiáng)甩賣

HA-LFS6014B強(qiáng)強(qiáng)甩賣

第5代A系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
采用CSTBTTM硅片技術(shù)
飽和壓、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%
成本的封裝
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小
功率循環(huán)能力顯著

應(yīng)用領(lǐng)域
適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計(jì)
第5代NF系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù)
LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用
額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個(gè)等級
外形尺寸與H系列IGBT完全兼容
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
通過底板和基板間焊錫的厚度大大了溫度循環(huán)能力ΔTc
高功率循環(huán)能力
應(yīng)用領(lǐng)域
通用變頻器，伺服驅(qū)動(dòng)器，UPS，特種電源等
208A11、101A04、TLD378A06、352A70、1630-06C、GK291D20、4106-03A、117B39、623C00、1502A02FG1KPSIS、2308-01A、625B32、2303-01A、740B02、357C73、1221-01A、3713B1150G、109B02、353B16、355B33、117B44、422E54、5308D-03A、138A、2560、1502B02GL15V50GPSI/20、204C、641B02、086C03、483C15、601A12、208A45、3711B1150G、109C11、393B05、355B34、138A10、422E55、5308D-04A、138A01、426B31、1502B02GL400BARG、205C、641A02、086C04、483C30、601A21、208C01、3713B1110G、109C12、350D02、356A01、111A26、422E65/A、5309C-01A、138A02、2520、1502B02HG100PSIG、206C、641B10、086D05、483C50、601A22、208A35208A13、101A06、356A15、352A72、1631-06C、377A12、4107-02A、117B42、612A01、1502A02FG2KPSIG、2308-03A、625B61、2508-03A、RH240A02、3701D1FB3G、1303-02A

第5代NX系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
采用化CSTBTTM硅片技術(shù)
有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
內(nèi)部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺(tái)
耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)
具有競爭力的性價(jià)比
有條件接受客戶定制
應(yīng)用領(lǐng)域
通用變頻器等交流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
第5代NFH系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的化
飽和壓于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
應(yīng)用領(lǐng)域:
變頻焊接設(shè)備等中高頻開關(guān)應(yīng)用
第5代NFM系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的化
飽和壓于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)可達(dá)30kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低

應(yīng)用領(lǐng)域
變頻焊接設(shè)備等中高頻開關(guān)應(yīng)用
3711B1110G、111A21、352B10、356A02、137B22A、422E66/A、5309C-02A、138A05、2570、1502B03EZ500PSIG、207C、641A10、086D20、484B02、601A31、208B01、3711B1130G、111A22、TLD356A02、356A12、117B67、427A03、5310C-01A、138A06、376B02、1502B03FJ100PSIG、208A11、641B11、086D50、484B06、601A32、208C02
第5代MPD系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：
杰出的短路魯棒性 - 了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff
新的緊湊型封裝
良好的匹配冷卻
多孔型端子使得阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長期電氣連接
端子孔徑與安裝定位孔徑一致
不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
應(yīng)用領(lǐng)域
大電機(jī)驅(qū)動(dòng)，風(fēng)力發(fā)電，大功率UPS等
第6/6.1代NX系列IGBT模塊
性能特點(diǎn)
采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低
二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔?br /> 硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C
硅片運(yùn)行溫度可達(dá)150°C
內(nèi)部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺(tái)
有條件接受客戶定制

 HA-LFS6014B強(qiáng)強(qiáng)甩賣就目前對互聯(lián)網(wǎng)+的認(rèn)識(shí)來看，很多人動(dòng)輒提及互聯(lián)網(wǎng)思維，但在部分業(yè)內(nèi)人士看來，這是現(xiàn)今社會(huì)對互聯(lián)網(wǎng)+3個(gè)認(rèn)識(shí)誤區(qū)之一， 其中，以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)， 一直以來，業(yè)在我國的國民經(jīng)濟(jì)中，始終是基礎(chǔ)與支柱產(chǎn)業(yè)。 單，不是簡單地指訂單，而是所有用戶的個(gè)性化需求。 發(fā)動(dòng)機(jī)主要包含兩部分，即轉(zhuǎn)子和定子。 新博物館落戶華明高新區(qū)內(nèi)清華高端研究院，為突出高端裝備主題，他從600余件藏品中挑選出百余件布展。 美國南北戰(zhàn)爭結(jié)束后經(jīng)濟(jì)起飛帶動(dòng)鋼鐵業(yè)崛起，19-20世紀(jì)之交美國鋼鐵生產(chǎn)量和消費(fèi)量超過西歐諸國，實(shí)現(xiàn)鋼鐵產(chǎn)業(yè)次轉(zhuǎn)移并開創(chuàng)美國鋼鐵時(shí)代， 高精度傳感器在中還需要一系列的補(bǔ)償用來傳感器的技術(shù)參數(shù)，主要是靈敏度溫度補(bǔ)償、靈敏度補(bǔ)償、零點(diǎn)平衡補(bǔ)償、零點(diǎn)溫度補(bǔ)償， 而江西智造要在競爭中占有一席之地，業(yè)必須轉(zhuǎn)型升級，不斷進(jìn)行創(chuàng)新。  

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