| IPD70R2K0CE有現(xiàn)貨，實(shí)單歡迎咨詢 |
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價格：36 元(人民幣) | 產(chǎn)地：原產(chǎn)地 |
| 最少起訂量：1只 | 發(fā)貨地：深圳市 | |
| 上架時間：2017-09-18 11:28:37 | 瀏覽量：252 | |
深圳市明佳達(dá)電子有限公司
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| 經(jīng)營模式：貿(mào)易公司 | 公司類型：其他有限責(zé)任公司 | |
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IPD70R2K0CE有現(xiàn)貨，實(shí)單歡迎咨詢
【聯(lián)系方式】
FET 類型：N 溝道 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：4A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：163pF @ 100V Vgs（最大值）：±20V FET 功能：超級結(jié) 功率耗散（最大值）：42W（Tc） 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 【同系列資源】
IPA60R800CE IPD50R950CE IPSA70R600CE IPS70R1K4CE IPA50R650CE IPU60R1K0CE IPU80R1K0CE IPU50R950CE IPS70R950CE IPS65R1K5CE IPN50R3K0CE IPD70R2K0CE IPU50R2K0CE IPS60R2K1CE IPS60R1K0CE IPS70R2K0CE IPSA70R950CE IPS60R1K5CE IPS60R3K4CE IPU50R3K0CE IPS65R650CE IPSA70R2K0CE IPU60R3K4CE IPD60R3K4CE
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