| 4-20ma 25MPa壓力變送器極限值 |
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安徽鵬宸電氣有限公司
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4-20ma 25MPa壓力變送器極限值
定義 硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應變時(一般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會發(fā)生變化，從而其電阻率變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經(jīng)過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈學特性，在同一切硅材料上進行各向微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個，就組成了一整的擴散硅壓力變送器。
工作原理 被測介質的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉換輸出一個對應于這一壓力的測量。
技術指標
輸出特性：
選型表
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