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華羿微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）成立于2017年6月28日，注冊(cè)資金4.15億元，是華天電子集團(tuán)旗下專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封測(cè)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司位于西安經(jīng)開區(qū)尚稷路8928號(hào)，占地面積200.8畝，員工2600余人。
公司通過(guò)自主創(chuàng)新、技術(shù)積累和市場(chǎng)拓展，現(xiàn)形成了以領(lǐng)先晶圓研發(fā)設(shè)計(jì)和一流封測(cè)工藝為核心競(jìng)爭(zhēng)力的業(yè)務(wù)體系。自研產(chǎn)品以20V—150V的中低壓MOSFET為主，分為抗沖擊能力突出的Trench（溝槽型）MOSFET和具備高頻、高動(dòng)態(tài)特性的SGT MOSFET（低屏蔽柵溝槽型）兩大系列，已量產(chǎn)的產(chǎn)品達(dá)到400余種，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車、汽車電子、5G基站、電動(dòng)工具、儲(chǔ)能、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，特別是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池儲(chǔ)能領(lǐng)域擁有較高的市場(chǎng)占有率;封測(cè)產(chǎn)品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等11大系列，共計(jì)約60余種封裝外形，產(chǎn)品覆蓋各功率段的二極管、三極管、MOSFET、超結(jié)MOSFET、IGBT等分立器件和模塊。

SGT和Trench MOS差異：

Trench工藝：內(nèi)阻較大，動(dòng)態(tài)參數(shù)Ciss/Qgd較差，且二者呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)特性。若想獲得低內(nèi)阻的產(chǎn)品，需增大芯片面積或減薄芯片厚度，隨之會(huì)導(dǎo)致Ciss/Qgd急劇增大，同時(shí)增大產(chǎn)品成本。

SGT工藝：相同芯片面積下，對(duì)比Trench ?MOS有較小的導(dǎo)通內(nèi)阻與動(dòng)態(tài)參數(shù)Ciss/Qgd。故在同一8寸/6寸晶圓下， SGT有著較高產(chǎn)能，隨之成本較低。但由于目前受生產(chǎn)工藝等多方面因素制約，其價(jià)格優(yōu)勢(shì)不太明顯。 此外，相同或近似電壓、內(nèi)阻規(guī)格產(chǎn)品下， Trench MOS抗沖擊性能會(huì)遠(yuǎn)優(yōu)于SGT ?MOS，具體體現(xiàn)為SOA區(qū)域較大。故在存在電流、電壓沖擊的應(yīng)用中，若不同時(shí)要求內(nèi)阻及動(dòng)態(tài)參數(shù)，可優(yōu)先選擇Trench ?MOS。
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打線Cu-Clip 對(duì)于MOS性能影響：

得益于更高的源極鍵合面積和鍵合線數(shù)量，產(chǎn)品具有更好的電流均勻性，在相同的溫升下，TO-263-6L具有更好的溫度均勻性和更低的熱點(diǎn)效應(yīng)。

若如TO-263-6L的模式，將源極鍵合打線無(wú)窮多，最終演化為芯片源極S極表面鋁線/銅線替換為銅片，直接壓焊精密貼合于芯片，獲得更小的封裝接觸電阻及電流密度，使得MOS具有更小的導(dǎo)通內(nèi)阻，更大的抗沖擊性能及溫度均勻性。

TOLL是一種高效節(jié)省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強(qiáng)大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應(yīng)用。它符合現(xiàn)有的JEDEC封裝外形，比Amkor目前提供的D2PAK (TO263)封裝小30，薄50。TOLL封裝引線設(shè)計(jì)有潤(rùn)濕性側(cè)翼，使其非常適合汽車市場(chǎng)。TOLL一直是整合元件制造商在汽車電子應(yīng)用中的首選技術(shù)。

低內(nèi)阻：Ron 大電流：ID>300A 高抗沖擊：IDM、SOA 低封裝寄生效應(yīng)：封裝電容、電感 更小的PCB占據(jù)，更高能量密度

應(yīng)用領(lǐng)域： ? ?儲(chǔ)能電源、汽車電子、大功率無(wú)人機(jī)、電動(dòng)工具

TOLL產(chǎn)品特點(diǎn)：小管腳, 低剖面 超大通流能力 超小的寄生電感大的焊接面積

高效率和低系統(tǒng)成本 更少的并聯(lián)數(shù)量和冷卻需求 高功率密度 優(yōu)秀的EMI性能 高可靠性

HYG017N10NS1TA主要針對(duì)BMS、儲(chǔ)能等市場(chǎng)，針對(duì)保量市場(chǎng)進(jìn)行價(jià)格PK，兩顆料主要與NCEP020N10/PWD015N10等型號(hào)參數(shù)類似，綜合性能測(cè)試反饋比較好。 HYG016N10NS1TA主要針對(duì)高端客戶市場(chǎng)進(jìn)行推薦，綜合成本會(huì)稍高； 實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)Typ值分別為1.3和1.35mΩ
?王 宇??Betson
?深圳市萬(wàn)國(guó)高科電子有限公司
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