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5G基站專用材料：半絕緣4H-SiC單晶——射頻器件襯底

	價(jià)格：1.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2025-03-27 19:16:38	瀏覽量：166
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
品名	碳化硅晶片
晶型	4H
厚度	可定制
表面處理	單面或雙面拋光
外觀	薄膜片
尺寸	4、6、8英寸
數(shù)量	1
售賣地區(qū)	全國
可售賣地	全國
用途	半導(dǎo)體領(lǐng)域
等級	工業(yè)級、研究級、測試級
型號	半絕緣型

可提供不同尺寸厚度、不同質(zhì)量等級的半絕緣型碳化硅單晶材料。以下列舉6英寸半絕緣型碳化硅襯底規(guī)格參數(shù)僅供參考：

1. 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格

2. 碳化硅半導(dǎo)體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學(xué)和電化學(xué)性能，具體參數(shù)如下表：

3. 半絕緣SiC單晶應(yīng)用
半絕緣碳化硅晶片主要用于氮化鎵（GaN）外延，制成HEMT等微波射頻器件，用于高溫高頻環(huán)境，5G通信、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域。

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