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4英寸氮化鎵晶體，硅摻雜GaN單晶拋光晶片，寬禁帶半導(dǎo)體材料

	價(jià)格：2.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：江蘇無錫
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：江蘇無錫
	上架時(shí)間：2025-01-28 08:19:49	瀏覽量：18
	江陰皓睿光電新材料有限公司
	經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工	公司類型：私營有限責(zé)任公司
	所屬行業(yè)：光電子器件	主要客戶：科研院所
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:吳明博 (先生)	手機(jī):13961650381
電話:	傳真:
郵箱:derry@helioswafer.com	地址:江蘇省無錫市江陰市果園路12號(hào)

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	皓睿光電
尺寸	510mm1010mm2英寸4英寸
晶向	0001
摻雜	硅摻無摻雜
拋光	雙拋
數(shù)量	25片/盒
封裝	GN0001
批號(hào)	GN0001
可售賣地	全國
材質(zhì)	氮化鎵晶體
型號(hào)	GN0001

4英寸氮化鎵晶體（硅摻）規(guī)格書

材質(zhì)：氮化鎵晶體
直徑：100 ± 0.3 mm
厚度：400-500 um
表面取向： (0001) Ga face
摻雜類型：N型硅Si摻雜
電阻率：≤0.02 ohm-cm
拋光：雙面拋光
粗糙度Ra包裝：單片盒包裝

氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

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