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單晶硅片規(guī)格書

材質(zhì)：CZ法單晶硅/FZ區(qū)熔單晶硅
直徑：50.8mm（2英寸），100mm（4英寸）
晶向：
導電類型：P型
拋光：單面拋光，雙面拋光
氧化：單面氧化，雙面氧化
拋光面粗糙度：氧化層：20nm-1000nm
TTV≤10 um
包裝：25片/盒卡塞裝

硅材料是目前主要的元素半導體材料，用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池等領(lǐng)域，是電子工業(yè)的基礎材料。熱氧化是硅平面技術(shù)中一項重要的工藝，硅與含有氧化物質(zhì)的氣體，如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應，在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅(SiO2)絕緣薄膜，具有穩(wěn)定的化學性質(zhì)，在集成電路制造中有廣泛的應用。