| 寬禁帶半導(dǎo)體:氮化鎵(GaN)單晶自支撐襯底片 |
![]() |
價(jià)格:\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產(chǎn)地:福建廈門 |
| 最少起訂量:1 | 發(fā)貨地:福建廈門 | |
| 上架時(shí)間:2024-08-03 03:27:33 | 瀏覽量:38 | |
廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
![]() |
||
| 經(jīng)營模式: | 公司類型: | |
| 所屬行業(yè):分立半導(dǎo)體 | 主要客戶: | |
在線咨詢 ![]() |
||
| 聯(lián)系人:周 (小姐) | 手機(jī):15306096621 |
|
電話: |
傳真: |
| 郵箱:vp@honestgroup.cn | 地址: |
氮化鎵(GaN)是二十世紀(jì)九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V族直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料,具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能?晒浠餁庀嗤庋樱℉VPE)技術(shù)生長導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片,晶片參數(shù)大致如下: ![]() 2. 氮化鎵襯底的應(yīng)用場(chǎng)景 ![]() ![]() ![]() ![]()
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| 版權(quán)聲明:以上所展示的信息由會(huì)員自行提供,內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。機(jī)電之家對(duì)此不承擔(dān)任何責(zé)任。 友情提醒:為規(guī)避購買風(fēng)險(xiǎn),建議您在購買相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。 |
機(jī)電之家網(wǎng) - 機(jī)電行業(yè)權(quán)威網(wǎng)絡(luò)宣傳媒體
關(guān)于我們 | 聯(lián)系我們 | 廣告合作 | 付款方式 | 使用幫助 | 會(huì)員助手 | 免費(fèi)鏈接Copyright 2025 jdzj.com All Rights Reserved??技術(shù)支持:機(jī)電之家 服務(wù)熱線:0571-87774297
網(wǎng)站經(jīng)營許可證:浙B2-20080178