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寬禁帶半導(dǎo)體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片

	價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2024-04-17 13:20:05	瀏覽量：51
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
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產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
晶體結(jié)構(gòu)	纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)
帶隙	3.4eV
有效面積	>90
總厚度變化	≤15um
彎曲度	≤20um
拋光	正面：外延級(jí)拋光；背面：精磨
數(shù)量	10
可售賣地區(qū)	全國
可售賣地	全國
型號(hào)	N型，半絕緣型

氮化鎵（GaN）是二十世紀(jì)九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V族直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料，具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能。可供氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)生長導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片，晶片參數(shù)大致如下：
1. 氮化鎵晶片規(guī)格參數(shù)

2. 氮化鎵襯底的應(yīng)用場(chǎng)景
1）GaN襯底可制備發(fā)光二極管（LED）與紫外激光二極管（LD）；
2）它對(duì)電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。
3）由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性，因此太空應(yīng)用也可能受益。
4）由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。

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