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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P 區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘�，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

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P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。

MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結(jié)構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點和飽和區(qū)。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處于截止區(qū)，其電壓條件是：

VGS

|VGS gt;|VTP (PMOS)|，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內(nèi)應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路 [1] ?。

各種場效應管特性比較編輯

在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示：雙應力襯墊(DSL)方法導致NMOS和PMOS中的有效驅(qū)動電流分別增加15和32，飽和驅(qū)動電流分別增加11和20。PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60，這已經(jīng)成為其他應變硅研究的焦點。

化學物品編輯

PMOs即periodic mesoporous organosilicas，介孔硅基有機-無機雜化材料。它是一種分子水平上有機組分與無機組分在孔壁中雜化的材料，這類材料有著許多獨特的性質(zhì)：有機官能團均勻分布在孔壁中且不堵塞孔道，有利于客體分子的引入和擴散；骨架中的有機官能團可以在一定程度L調(diào)節(jié)材料的物化性質(zhì)，如機械性能，親/疏水性；可以同時實現(xiàn)對孔道和孔壁功能性的調(diào)變．正因如此，PMOs已成為當今材料科學領域的一個研究熱點。

上世紀90年代初以M41S(Mobile composite of matter)及FSM(folded sheets mesoporous materi-al)為代表的有序介孔氧化硅材料的報道掀起了介孔材料的合成和應用研究的熱潮。一方面，有序介孔材料的出現(xiàn)突破了微孔材料(如沸石)的孔徑限制，可以在有機大分子、生物大分子的固載、催化轉(zhuǎn)化等領域中得到應用；另一方面，介孔材料中不同取向、不同尺寸及不同連通度的孔道作為理想的納米反應器，可以用來組裝和限域金屬配合物及生物大分子，定向合成納米粒子等．最初的介孔材料的孔壁組成為氧化硅，為了拓