欧美极品jizzhd欧美,91精品久久一区二区三区,欧美乱妇无乱码大黄a片,欧美日韩国产一区在线看

某半導(dǎo)體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用  KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動態(tài)沉積的方法--樣品臺離心旋轉(zhuǎn)的方式, 補(bǔ)償或改善圓形磁控靶在正對的基片上沿徑向的濺射沉積不均勻分布.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

紅外器件金屬膜需要高均勻性的原因: 

紅外器件幾乎都要進(jìn)行表面鈍化和鍍制金屬膜, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用, 而在背照式紅外探測器的光接收面, 往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜, 以起到對器件進(jìn)行保護(hù)和對紅外輻射減反射的作用, 介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,  請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有,  翻拷必究!