KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
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射頻離子源型號 |
RFICP380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號 |
eH3000LO |
eH3000MO |
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Cathode/Neutralizer |
HC |
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電壓 |
50-250V |
50-300V |
50-250V |
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電流 |
20A |
10A |
15A |
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散射角度 |
>45 |
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可充氣體 |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
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氣體流量 |
5-100sccm |
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高度 |
6.0“ |
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直徑 |
9.7“ |
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水冷 |
可選 |
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F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
渦輪分子泵 HiPace 2300 技術(shù)參數(shù)：
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型號 |
接口 DN |
抽速 l/s |
壓縮比 |
zui高啟動壓強hPa |
極限壓力 |
全轉(zhuǎn)速氣體流量hPa l/s |
啟動時間 |
重量 |
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進氣口 |
排氣口 |
氮氣N2 |
氦氣He |
氫氣 H2 |
氮氣N2 |
氮氣N2 |
hPa |
氮氣N2 |
min |
kg |
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HiPace 2300 |
250 |
40 |
1,900 |
2,000 |
1,850 |
> 1X108 |
1.8 |
< 1X10–7 |
20 |
4 |
34 – 47 |
鍍膜機實際運用案例：
采用多靶磁控濺射鍍膜機在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯塊表面上濺射沉積 ZrB_2 涂層，與其他未引用 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控濺射鍍膜機相比, 引進 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其鍍制的 ZrB_2 涂層附著力明顯提高, 涂層厚度更加均勻, 晶粒更加細(xì)小, 沉積率更高.
KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
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