該廠商采用雙離子源濺射沉積系統(tǒng), 其中一個離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進(jìn)行濺射, 另一個離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進(jìn)行離子刻蝕.
其工作示意圖如下：
用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):
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射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：
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離子源型號 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>400 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
12 cm Φ |
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離子束 |
平行 |
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流量 |
2-20 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
23.5 cm |
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直徑 |
19.4 cm |
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中和器 |
燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
推薦理由：
使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準(zhǔn)確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進(jìn)行刻蝕, 可以使大口徑光學(xué)元件 KDP 晶體表面更均勻
運(yùn)行結(jié)果:
1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內(nèi), 刻蝕均勻性在5%以內(nèi)
2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕
3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達(dá)到了預(yù)期目的
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