天津瑞利光電科技有限公司優(yōu)勢經(jīng)銷意大利OPTOI光電晶體管陣列OIT15C-NR
產(chǎn)品型號：OIT15C-NR
產(chǎn)品介紹
OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個公共集電極，該集電極連接到單個焊盤，每個發(fā)射器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學(xué)間距為 0.45 mm，LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm2。
該產(chǎn)品的優(yōu)點是硅傳感器的高度均勻性，由于單片結(jié)構(gòu)和受控的微電子過程，信號的高穩(wěn)定性和高光學(xué)響應(yīng)性，由于沉積在光電晶體管區(qū)域上的抗反射涂層。
該設(shè)備采用薄塑料薄膜保護，可抵抗回流爐工藝。一旦將設(shè)備組裝到電子板上，就須去除薄膜，用戶可以安裝光學(xué)標(biāo)線片。尺寸減小，以優(yōu)化成本和編碼器空間。兩個參考標(biāo)記可用于準確的標(biāo)線定位。
性能特點
l 耐焊接工藝，MSL2
l 硅電池的高均勻性
l 更小的光學(xué)間距，更寬的有效區(qū)域
l 高增益
l 非常小的尺寸
l 準確安裝的參考點
l 提供分劃板組裝服務(wù)
技術(shù)參數(shù)
工作溫度范圍：-40 100 °C
儲存溫度：-40 100 °C
引線溫度（焊錫）3s：230 °C
集電極-發(fā)射極擊穿電壓@TA=25°C IB=100nA IC=1mA：50 V
功耗，TA=25°C 時：150 mW
靜電放電敏感性：3級
暗電流 VR=10V：典型5nA，max.100 nA
響應(yīng)度：0.5 A/W
峰值響應(yīng)度 VCE=5V：750 nm
光譜帶寬@50% VCE=5V：500…950 nm
發(fā)射極-集電極電流 VCE=7.7V：0.025…100 μA
集電極-發(fā)射極電流 VCE=52V：0.025…100 μA
增益 VCC=5V IC=2mA：典型500，min.1100，max.500
飽和電壓 IE=2mA IB=20μA：80…200 mV
通態(tài)集電極電流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2：1 mA
上升時間VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
下降時間 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ：10 μs
光電晶體管有效面積：0.125 mm2
有效區(qū)域長度：0.25 mm
有效區(qū)域?qū)挾龋?/span>0.50 mm
產(chǎn)品應(yīng)用
光學(xué)編碼器
增量編碼器
光接收器
控制/驅(qū)動
光傳感器
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