芯片基本介紹
ME8109BD8G主要針對(duì)適配器、充電器、開板電源、家電類、輔助電源而設(shè)計(jì)的一款高性能控制芯片。
ME8109BD8G內(nèi)部集成了一個(gè)脈寬調(diào)制控制器和一個(gè) 650V（600V） 的高壓功率 MOSFET。
ME8109BD8G的啟動(dòng)電流很低，電流模式脈寬調(diào)制使得在輕載時(shí)工作在節(jié)能模式。這些特性保證了電源能輕松達(dá)到最嚴(yán)苛的能源法規(guī)要求。
ME8109BD8G的集成功能包括電流檢測(cè)的前沿消隱，內(nèi)部斜率補(bǔ)償，逐周期峰值電流限制和軟啟動(dòng)。 另外，在誤動(dòng)作時(shí)，過流保護(hù)(OCP)，過壓保護(hù)
(OVP) 和過載保護(hù) (OLP) 、OTP能為芯片提供充分的保護(hù)�？傊琈E8109BD8G擁有更好的特性和更低的電源成本.
ME8109BD8G主要特點(diǎn)如下：
1)低待機(jī)功耗：通過低功耗間歇工作模式設(shè)計(jì)，達(dá)到小于 100mW超低耗的性能。
2)無噪聲工作：優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作，系統(tǒng)最小工作頻率控制在 22K左右。
3)更低啟動(dòng)電流：VDD啟動(dòng)電流低至 5uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動(dòng)電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間。
4)更低工作電流：工作電流約為 1.8mA， 可有效降低系統(tǒng)的損耗,提高系統(tǒng)的效率。
5)內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置 220nS前沿消隱（LEB），降低系統(tǒng)成本。
6)內(nèi)置良好的 OCP 補(bǔ)償：內(nèi)置了 OCP 補(bǔ)償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的 OCP曲線趨向平坦， 提高系統(tǒng)的性價(jià)比。
7)完善的保護(hù)功能：集成了完善的保護(hù)功能模塊。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔可靠，同時(shí)滿足安規(guī)的要求。
8)軟啟動(dòng)功能：內(nèi)置 4mS軟啟動(dòng)功能,可有效降低系統(tǒng)開機(jī) MOS管漏源之間電壓過沖。
9)較少的外圍器件：外圍比較簡(jiǎn)單，可有效提高系統(tǒng)的功率密度，降低系統(tǒng)的成本。
10）優(yōu)良的 EMI 特性： 內(nèi)置的頻率抖動(dòng)設(shè)計(jì)可以很有效的改善系統(tǒng)的 EMI 特性，同時(shí)可以降低系統(tǒng)的 EMI 成本。
