概述
ME8321AS7G-N是一款滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)原邊反饋準(zhǔn)諧振模式的小功率 AC/DC 電源控制芯片。內(nèi)部集成了650V 的高壓功率 MOS 管，用于充電器，適配器和LED 驅(qū)動領(lǐng)域。實現(xiàn)±5%的恒壓恒流精度和小于100mW 的待機功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實現(xiàn)高效率和良好的 EMI性能，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)要求。該芯片集成了諸多保護功能，包括：VDD 欠壓保護(UVLO)，VDD 過壓保護，軟啟動，逐周期過流保護，所有管腳浮空保護，內(nèi)置前沿消隱，VDD 電壓鉗位保護，過溫保護，等等。
ME8321AS7G-N特點
● 效率滿足六級能效要求
● 原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實現(xiàn)高效率，無
需光耦和TL431
● ±5%恒壓恒流精度
● 待機功耗小于100mW
● 內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
● 恒壓模式下內(nèi)置線壓降補償(Cable drop compensation)
● 內(nèi)置軟啟動
● 所有管腳浮空保護
● 輸出過壓保護
● 逐周期電流限制
● 內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
● VDD欠壓保護(UVLO)，過壓保護及鉗位
● 過溫保護
ME8321AS7G-N應(yīng)用場合
● 充電器
● 適配器
● LED照明
ME8321AS7G-N封裝形式
● 7-pin SOP7
