變頻器電路中林林總總的各種故障檢修電路，只有一個(gè)指向和目的——在面臨異常工作狀態(tài)時(shí)，采取停機(jī)或其它保護(hù)措施，盡最大可能保護(hù) IGBT模塊的安全。
究竟有哪些因素會(huì)影響乃至危及IGBT模塊的安全呢？
1、電流因素：
（1）、過流，在輕、中度過流狀態(tài)，為反時(shí)限保護(hù)區(qū)域；
�。�2）、嚴(yán)重過流或短路狀態(tài)，無延時(shí)速斷保護(hù)；
2、電壓因素：
�。�1）、IGBT模塊的供電電壓過高時(shí)，將超出其安全工作范圍，導(dǎo)致其擊穿損壞；
�。�2）、供電電壓過低時(shí)，使負(fù)載能力不足，運(yùn)行電流加大，運(yùn)行電機(jī)易產(chǎn)生堵轉(zhuǎn)現(xiàn)象，危及IGBT模塊的安全；
�。�3）、供電電壓波動(dòng)，如直流回路濾波（儲(chǔ)能）電容的失容等，會(huì)引起浪涌電流及尖峰電壓的產(chǎn)生，對(duì)IGBT模塊的安全運(yùn)行產(chǎn)生威脅；
�。�4）、IGBT的控制電壓——驅(qū)動(dòng)電壓低落時(shí)，會(huì)導(dǎo)致IGBT的欠激勵(lì)，導(dǎo)通內(nèi)阻變大，功耗與溫度上升，易于損壞IGBT模塊。
3、溫度因素：
�。�1）、輕度溫升，采到強(qiáng)制風(fēng)冷等手段；
�。�2）、溫度上升到一定幅值時(shí)，停機(jī)保護(hù)；
4、其它因素：
�。�1）、驅(qū)動(dòng)電路的異常，如負(fù)截止負(fù)壓控制回路的中斷等，會(huì)使IGBT受誤觸通而損壞；
�。�2）、控制電路、檢測(cè)電路本身異常，如檢測(cè)電路的基準(zhǔn)電壓飄移，導(dǎo)致保護(hù)動(dòng)作起控點(diǎn)變化，起不到應(yīng)有的保護(hù)作用。
相對(duì)于以上影響或危及IGBT模塊的因素，則衍生了下述種類的保護(hù)電路。1、電壓檢測(cè)電路：
�。�1）、直流回路電壓檢測(cè)電路，用電阻分壓網(wǎng)絡(luò)直接對(duì)直流530V電壓采樣，或從開關(guān)電源次級(jí)整流電路間接對(duì)直流530V進(jìn)行采樣，由后續(xù)電路處理成模擬信號(hào)和數(shù)字開關(guān)量信號(hào)。其中模擬量信號(hào)用于直流回路的電壓顯示，輸出控制等，而開關(guān)量信號(hào)用于故障報(bào)警、停機(jī)保護(hù)等；
�。�2）、有的機(jī)型對(duì)三相交流輸入電壓進(jìn)行檢測(cè)，借以判斷IGBT的供電狀態(tài)，異常時(shí)停機(jī)保護(hù)；
�。�3）、對(duì)驅(qū)動(dòng)供電電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，常由驅(qū)動(dòng)IC的內(nèi)部保護(hù)電路執(zhí)行此任務(wù)，預(yù)防IGBT出現(xiàn)欠激勵(lì)現(xiàn)象；
�。�4）、對(duì)充電接觸器的觸點(diǎn)狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)，實(shí)際為直流回路電壓的輔助檢測(cè)。
2、電流檢測(cè)電路：
（1）、IGBT保護(hù)電路，檢測(cè)IGBT在導(dǎo)通期間的管壓降，判斷IGBT是否處于過流、短路狀態(tài)，實(shí)施軟關(guān)斷與停機(jī)保護(hù)措施；
（2）、對(duì)三相輸出電流進(jìn)行采樣，據(jù)過流程度不同，采取不同的保護(hù)手段，如降低運(yùn)行頻率、延時(shí)停機(jī)保護(hù)等。
�。�3）在逆變模塊供電回路串接快熔保險(xiǎn)管，實(shí)現(xiàn)對(duì)逆變模塊的短路保護(hù)，對(duì)快熔管狀態(tài)的檢測(cè)；
�。�4）、個(gè)別機(jī)型還對(duì)直流母線的電流進(jìn)行采樣，異常時(shí)采取保護(hù)動(dòng)作；
�。�5）、個(gè)別機(jī)型對(duì)輸出電壓/頻率進(jìn)行采樣，實(shí)施對(duì)IGBT的保護(hù).
